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报告题目：后摩尔时代的大容量三维存储芯片

报告人：陈杰智 教授   山东大学 ，IEEE高级会员

主持人：石亮 教授

报告时间：2019年4月28日  周日10:30-12:00 

报告地点：理科大楼B616

报告摘要：

随着大数据和人工智能等新兴技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限，继续提高集成密度，三维立体闪存存储器将取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流种类形态。相比二维平面闪存存储器，三维闪存存储器可以提供更大的存储密度，更低的种类成本和更高的可靠性特性。然而，由于三维立体闪存存储器的特殊单元结构和制备工艺，其可靠性核心问题与二维平面闪存存储器有着很大不同。本报告将从后摩尔时代微纳技术的发展来讨论三维立体架构存储器所需面临的前沿科学问题。

报告人简介：

陈杰智教授，IEEE高级会员，2009年博士毕业于东京大学，2010年加入东芝研究开发中心，从事纳米器件、闪存存储器、以及SSD固态硬盘的可靠性机理研究，2016年到山东大学任教。目前其主要研究方向包括：纳米器件及材料、存储器芯片可靠性、存储单元可靠性物理机制、以及芯片指纹设计。其主要学术成果于2008-2018间十余次在微电子领域顶级国际权威器件研究会议IEDM和VLSI Technology做报告，并已获得二十项美国专利授权和日本专利授权。为IEEE-IEDM国际电子器件会议技术委员、IEEE-SNW硅纳电子器件会议技术委员、IEEE-ICSICT固态和集成电路技术国际会议技术委员、IEEE-IRPS国际可靠性物理会议技术委员、和IWDTF国际电子器件薄膜介质会议技术委员。